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来源：葡京彩票2023-12-16 17:48

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中消协测评46款充电数据线近半数样品阻燃能力不佳******

　　中新网1月12日电 (中新财经记者谢艺观)记者从中消协了解到，近期，中消协对市场销售的部分品牌充电数据线开展比较试验发现，46款样品中，近半数样品阻燃能力不佳，9款样品抗弯曲性能较差，13款样品端口受压变形。

　　据中消协介绍，这些样品由消协工作人员购自多个电商平台，均宣称支持快速充电。46款样品中，有7款样品未标明品牌名称，其中6款仅有简易包装，无销售包装；10款未明示生产执行标准。

图为此次参与比较实验的样品。中新财经记者谢艺观摄

　　近半数样品阻燃能力不佳

　　充电数据线大功率使用时，一旦出现异常，无论是自身过热导致自燃成为引燃源，或是靠近起火物品成为助燃源，甚至是其自身在燃烧过程中产生熔融滴落物进而引发其他物品起火，都会给人身财产安全带来危害。

　　比较试验结果显示，所有样品在试验前均满足耐压和绝缘电阻要求，但近半数样品阻燃能力不佳，特别是编织线外皮更易降低阻燃性。阻燃性能测试中失败的样品涉及品胜、小米等品牌。

截图自中消协报告。

　　26%的样品压降测试结果不理想

　　电压下降越大说明电能损失越多，充电速率越低，甚至还会导致数据线发热，造成安全隐患。

　　比较试验结果显示，26%的样品压降测试结果不理想。46款样品中，有34款样品的压降低于750毫伏，有12款样品压降高于750毫伏，其中7款压降高于1000毫伏，售价仅2.14元标称品牌为“安科优/泰拉锋”的数据线最大压降高达2310毫伏。

截图自中消协报告。

　　8款样品接口插拔性能表现不佳

　　在日常使用中，由于充电数据线与手机等移动通信终端接口插拔较频繁，容易出现接口损坏的情况，导致充电失效或其他安全问题。

　　比较试验结果显示，80%以上的样品通过了插拔测试，表现良好，且在测试后还能够正常使用且符合耐压和绝缘要求。

　　但有5款样品拔出力超限(数据线接口拨出力应该保持在一定的数值范围内，否则就导致接口过紧或过松，过紧易将移动设备损坏，过松易导致接触不良或短路)，涉及标称品牌为安克(型号A8432)、TAFIQ(型号TFK001)、倍思(型号CAMRD-B01)、绿联(型号US155)、欧莱森(型号MS-PD020)等样品。

　　插拔试验之后，还有3款样品未通过耐压测试验证，说明性能受损不能正常使用，插拔耐久性不佳。涉及标称品牌为vivo(型号BK-C-19)、品胜(型号TC-FC-1000)、CHIJIE(型号HWSJX01)等3款样品。

截图自中消协报告。

　　21款样品耐腐蚀性能较弱

　　充电数据线长期暴露在空气中，若金属裸露部分耐腐蚀性能差，可能因锈蚀引起导电通路断开，充电线失灵，也可能由于引脚锈蚀造成电阻过大，进而诱发充电过程中充电接口过热，存在烧毁接口等隐患。

　　中消协称，经24小时盐雾试验后发现，有25款样品的盐雾性能表现良好，具有较好的耐腐蚀性能；有16款样品出现不同程度的锈蚀，其中某无品牌样品因盐雾腐蚀出现护套脱落；有2款样品丧失充电功能。盐雾试验后，有2款样品未通过耐压测试验证，有1款样品未通过绝缘电阻测试验证。

截图自中消协报告。

　　9款样品抗弯曲性能较差

　　日常使用中，充电数据线与手机等移动通信终端连接的部分经常弯折，容易出现线缆绝缘外皮破损或接口损坏的情况，导致充电失效或其他安全问题。

　　在抗弯曲试验中，有9款样品没有通过抗弯曲试验，其中有5款样品在试验完成后，充电功能失效，某无品牌样品充电接头已经完全断裂脱落；还有4款样品在抗弯曲试验后，未通过耐压测试验证。

截图自中消协报告。

　　13款样品端口受压变形

　　充电数据线端口处遭受意外按压等应力时容易出现断裂。

　　经测试，有33款样品施力后没有变形，可正常使用。其余13款均发生变形，其中11款样品在推力施加的过程中，接口出现过度弯折现象。其中，标称品牌为品胜(型号TC-FC-1000)的样品，试验中接头完全脱落。标称品牌为安克(型号A8622)的样品，试验后充电功能失效。

截图自中消协报告。

　　充电数据线行业执行标准各自为政

　　中消协表示，通过本次比较试验和相关市场调查，发现目前充电数据线行业存在产品标识不全、执行标准各自为政等典型问题。“样品明示的标准，绝大多数为企业标准，少数为已过时效期的行业标准，或与数据线产品无相关性的安全标准。”

　　中消协也强调，比较试验仅对测试样品进行性能优劣的比较，不做合格与否的判定。比较试验结果仅对样品负责，不代表同品牌不同型号、不同批次产品的性能状况。

　　对于企业/品牌所有人不认可为该品牌产品的第5号及第23号样品，中消协称，已通知平台追溯产品来源，希望平台尽快确认产品真伪，并对确实售卖假冒产品的商家进行清理。(完)

台媒：台积电被美夺走，留下“八大伤害”******

　　台湾《中国时报》12月21日文章，原题：台积电“先进制程赴美”对台湾伤害多大？工程师曝八个恐怖影响半导体龙头台积电在美国亚利桑那州首府凤凰城设厂，台湾约有500名工程师赴美，引发全球关注，网络上更流传“台湾被掏空、美国公然抢劫”等言论。脸书粉专“工程师看政治”直言这波投产对于台湾伤害很大，并列出8点分析。

　　台积电日前宣布，团队将投资金额增加到400亿美元，除了将增加建造第二个更先进的工厂来制造3纳米制程芯片(预计2026年投产)，还会将现有的5纳米厂增加设置4纳米制程芯片，而这也会将台积电目前在亚利桑那州的芯片投资金额从120亿美元大幅增至约400亿美元，这不仅是亚利桑那州史上规模最大的外商直接投资案，也是美国史上规模最大的之一。

　　“工程师看政治”脸书粉丝专页20日以“台积电3、4纳米厂被带去美国的伤害有多大”为题发文，列出赴美对于台湾及台积电的八大影响：

　　一、直接流出的投资金额高达1.2兆台币。

　　二、人才被夺走，首批工程师赴美将有1000人，到2023年末人数预计翻倍。

　　三、这2000人的家庭与其后代总计3000到6000人，他们的消费以及未来的研发劳动力，很可能大多会留在美国。

　　四、相关供应链厂商外移，会造成大约5000个工作机会流失。不外移的，也会增加额外的营业成本。

　　五、台积电未必能如预期守住商业机密，因为身在敌营又领取对方补助，美国只要一纸禁令或停止付钱，台积电立刻就会大失血。

　　六、台积电将面临Intel当地的挖角竞争。

　　七、美国制造成本会高出50%以上，台积电的盈利必会受到影响，我们流失的对应税收将会贡献给美国。

　　八、高阶芯片厂被夺，硅盾减损，也连带降低台湾岛的防务地位与能力。

　　“工程师看政治”直指“未来损失的金额，远不止那1.2兆，失去的人才也不只是飞机载去的那些。美国巧夺台积电，无论说辞如何润饰，都是一个世代的、天文数字的资产掏空”。最大的灾难都是慢慢发生、慢慢侵蚀，“透过媒体包装/认知作战深入骨髓，人们无知无觉地被掠夺，资产一天一天消逝。今天的一切2013年就埋下种子，2016年开枝散叶，2020年守成，如今高歌收割果实”，“不管怎么看，在美国推手之下，台湾一天天被削弱，一步步往战火前进”。(作者林昀萱)

　　（文图：赵筱尘巫邓炎）

[责编：天天中]

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